盛夏已過，初秋開場

十月的室溫猶在以未不散家庭生活也免沒辦法被煩雜的運轉獻祭

直流高壓大工作功率(6500V/3000A)IGBT測試圖片難？伴如今品牌需要急、任何重、符合要求高過程中師們負荷山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

會因為SiC與Si能特點的各種不同，SiC MOSFET的閥值法交流工作直流電壓具動搖定量分析，在器材檢測時中閥值法交流工作直流電壓就會有顯眼漂移，促使其電能檢測各類低溫柵偏實驗后的電檢測可是情況嚴重依賴癥于檢測要求。由于閥值法交流工作直流電壓的最準確檢測，現行政策靠譜性檢測的方式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻功率 RDSon為后果配件運作時導通損耗費的一核心本質特征數據，其熟知會隨 VGS 還有T的不同而優化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護的也能將相電壓以及交流電減少在SOA區域環境，禁止器材影響或炸管。

考試先決條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試方法水平：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）瞬時電流查測電源電路將改善導通電流值預估導致精度；? SOCKET與PIN使用電容、測試引線導通電容。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流大小波型振動；? 路線圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普普通通同軸拖鏈電纜的等效電阻與DUT串連，SMU檢測時回升或者增強精力長；? 三同軸纜線等效電感近乎為0。

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