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PMDT功率器件動態參數測試系統

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       PMDT運行電機馬力電子元集成電路系統封裝gif靜態規格指標檢查系統就是款專門的于MOSFET、IGBT、SiC   MOS等電子元集成電路系統封裝的gif靜態規格指標檢查,是可以的安全性高便民的檢查運行電機馬力電子元集成電路系統封裝的面板開關時間延遲和衰減,分析電子元集成電路系統封裝的的安全性高運行區,對電子元集成電路系統封裝和動力電路系統的出現短路保護的特征做核驗,預估運行電機馬力零件的雜散電感。      平臺重點由雙脈寬手機信號發生器,好的成績辨率示波器,進行低壓電壓探測器,進行低壓電源轉換旋鈕、母線濾波電容、低雜感母排、自主化測驗方法圖片pc軟件及智能化測驗方法圖片工服組合成。平臺設備許多種測驗方法圖片動力板,可合并轉換旋鈕產品參數測驗方法圖片、柵極帶電粒子測驗方法圖片、發生故障測驗方法圖片、雪崩測驗方法圖片等,每次測驗方法圖片能夠實現轉換旋鈕因素及選擇性治愈因素測驗方法圖片;可24小時存放測驗方法圖片結論及正弦波形線條,自主轉化測驗方法圖片意見書。


產品特點

● 高電壓達2000V(最大擴展至8kV)
● 大電流達2000A(可擴展至6000A)
● 低寄生電感設計,<20nH寄生電感
● 安全防護機制,集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋,支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化,負載電感自動切換
● 溫度范圍廣,可選高溫模塊(常溫~200℃)或熱流儀(-40℃~200℃)

● 兼(jian)容多(duo)種封裝,可根據測試需求定制夾具


系統組成.png


測試項目

●  開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性:關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性:反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安全工(gong)作區(qu):關(guan)斷(duan)電壓尖峰VCE—peak、關(guan)斷(duan)電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t



測試夾具

應對世上邊差異打包封裝類型的的輸出半導體器件,如IGBT、SiC、MOS等新產品的,普賽斯展示 成套測驗車床夾具消除計劃方案,可以使用于T0單管,半橋模組等新產品的的測驗

測試夾具.png



軟件界面

軟件界面.png

產品選型

項目正向電壓負向電壓最大電流脈寬范圍
柵極0~30V-20~0V10A0.1μs~200μs
項目最大電壓最大電流短路電流
漏極/集電極2000V2000A(DPT)12kA
項目雜散電感保護響應時間工作環境溫度
系統功能
<20nH  <2us常溫~40℃


PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考:

型號規格高壓差分探頭柔性電流探頭
PMDT20032000V/300A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(7個): 帶寬起步 100M,測量范圍 30AIc(一個): 帶寬起步 30M,測量范圍 300A Icsc(5個): 傳輸速率 30M,滿量程 12kA
PMDT20102000V/1000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X:350V,2000X: 3500VIg(個):上行寬帶 100M,分度值 30AIc(9個):傳輸速率 30M,示值 1200A Icsc(4個):上行速率 30M,測量范圍 12kA
PMDT20202000V/2000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(8個): 上行寬帶 100M,滿量程 30AIc(9個): 帶寬起步 30M,分度值 3000A Icsc(8個): 帶寬的配置 30M,測量范圍 12kA



*之內規格型號假如有升級更新,恕不的另外信息。

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