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●   高電壓(ya)達3500V(最大擴展至12kV)

●   大電流達(da)6000A(多模塊并(bing)聯)

●   nA級(ji)漏(lou)電流μΩ級(ji)導通電阻(zu)

●   高(gao)精度測量0.1%

●   模塊化配置(zhi)，可(ke)添加或(huo)升級測量(liang)單元，可(ke)提(ti)高IV、CV、跨導(dao)等多種功用的全方位(wei)的測驗(yan)

●   測試(shi)效率高，自動(dong)切換、一鍵測試(shi)

●   溫(wen)(wen)度范圍廣(guang)，支持常溫(wen)(wen)、高溫(wen)(wen)測(ce)試

●   兼容多種封裝，根據測試需(xu)求定制夾具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電(dian)容Ciss/Cies、輸出(chu)電(dian)容Coss/Coes、反向(xiang)傳輸電(dian)容Crss/Cres、跨導gfs、輸出(chu)特(te)性曲線(xian)、轉移特(te)性曲線(xian)、C-V特(te)性曲線(xian)

●   光(guang)耦(四端(duan)口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入(ru)電(dian)容(rong)CT、輸出電(dian)容(rong)CCE、電(dian)流(liu)傳輸比(bi)CTR、隔離電(dian)容(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率器件(jian)由于其功率特點極易產生大量熱(re)量，施(shi)加應力時(shi)間長，溫度迅(xun)速上升，嚴重時(shi)會使(shi)器件(jian)損(sun)壞，且不符(fu)合器件(jian)工作特性(xing)。普賽斯低壓摸塊實現的(de)的(de)用(yong)時(shi)小(xiao)于等于5ms，在檢測(ce)歷(li)程中也(ye)可(ke)以縮減待測(ce)物加電的(de)用(yong)時(shi)的(de)發燒。

2、壓力下漏電(dian)流(liu)(liu)的自測專業能力無可(ke)比擬(ni)，自測覆蓋(gai)面(mian)率強于(yu)(yu)國際級(ji)該品牌(pai)。市面(mian)上絕大(da)(da)多數器件(jian)的規格書顯示，小模(mo)(mo)塊在高溫測試(shi)(shi)時漏電(dian)流(liu)(liu)一般(ban)大(da)(da)于(yu)(yu)5mA，而車(che)規級(ji)三相(xiang)半橋(qiao)高溫下漏電(dian)大(da)(da)于(yu)(yu)50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為(wei)例：3300V，125℃測試(shi)(shi)條件(jian)下ICES典(dian)型值14mA，最大(da)(da)40mA。普賽斯靜(jing)態系統高壓模(mo)(mo)塊測試(shi)(shi)幾乎可(ke)以完美應對所(suo)有類型器件(jian)的漏電(dian)流(liu)(liu)測試(shi)(shi)需求。

PMST電功率電子元件靜態數據平臺與眾不同尺寸規格增加型號規格規范：