国产精品一区视频-国产午夜亚洲精品午夜鲁丝片-国产免费一区视频观看免费-国产一区二区在线观看视频_SPA6100半导体器件参数分析仪/半导体表征系统主机/材料和半导体参数分析仪（半导体和材料IV曲线测试和CV曲线测试）-普赛斯仪表国产化高精度数字源表_IGBT测试系统_高电流脉冲电源_高电压源

SPA6100半導體參數分析儀

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SPA6100半導體器件技術參數了解儀具備高準確度、寬自動測量依據、很快靈活性、兼容模式強等競爭優勢，產品的不錯互相不支持DC感應電流-線電壓電流(I-V)、濾波電容-線電壓電流(C-V)甚至高流高壓電下單脈沖式I-V特點的各種測試。源于版塊化的加固設計的概念設計的概念,就能夠幫到客戶跟據試驗需要,輕松選購側量單元式實施提高。產品設備的支持最快1200V工作工作電流值、100A大工作工作電流、1pA小工作工作電流識別率的側量,時檢查10kHz至1MHz空間內的多頻AC電解電容側量。配用專門用光電器材規格測試手機軟件,可人機交互式速騰自功檔基本操作步驟或結合起來檢測器臺的自功基本操作步驟,可從校正設置成、審理、然而分享到資料控制的全歷程，推動高效率和可再次的器材研究方法；也可與高高冷藏箱、控溫方案等組合搭配選用，供需高高冷藏測試供需。

產品特點

●  30μV-1200V，1pA-100A 寬量程測(ce)試能(neng)力

● 測(ce)量精(jing)度高，全量程下(xia)可達0.03%

● 內置標準器件測試程序，直接調用測試簡便

● 自動實時參數(shu)提(ti)取、數(shu)據繪圖、分(fen)析(xi)函數(shu)

● 在CV和IV測量之間快速(su)切換而無需重新布(bu)線(xian)

● 提供靈活的夾(jia)具(ju)定制方案，兼容性強(qiang)

● 免費(fei)提供上位機軟(ruan)件及SCPI指令集(ji)

運用情(qing)境及檢驗(yan)產品(pin)參數

1、納米材料：電阻率、載流子遷移(yi)率、載流子濃度、霍(huo)爾電壓

2、柔性材料：拉(la)伸/扭轉/彎折、V-t、I-t、R-t、電(dian)阻率、靈敏度

3、IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線

4、分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉移/CV曲線等

5、光電探測器：暗電流ID、結電容Ct、反向(xiang)擊穿電壓VBR、響應(ying)度R

6、鈣鈦礦電池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲(qu)線

8、傳感器/憶阻器：V-t、I-t、R-t、直流(liu)/脈沖(chong)/交流(liu)IV測試

上海特色優點

1、模塊化配置：可靈活配(pei)置(zhi)多種測量單元，預留升級空間，方便(bian)后期(qi)升級

2、圖形化界面：內(nei)置常(chang)用器件模(mo)板，可直接調用，并且支持(chi)輸出三種模(mo)式測(ce)試報告

3、自動化測試：內嵌低漏電矩陣(zhen)開關，可自(zi)動(dong)切(qie)換測試電路，實現一鍵測試功能

4、夾具可定制：支持(chi)二極管、三極管、Si及(ji)SiC MOS管、IGBT等器(qi)件(jian)

5、多設備聯動：可與(yu)探針臺、溫控模塊等搭配使用，溫控范圍：室溫~250℃

提升半導文件(jian)、存儲(chu)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)集成(cheng)電路芯(xin)(xin)片(pian)(pian)設計制(zhi)作及最先(xian)進流(liu)程的制(zhi)作證實

1、鼓勵直流電壓、智能I-V各種測試

2、嵌入職業單位矩陣觸點開關，加強測評能力

3、可與很多種生產設備連動操作：晶圓級集成ic穩定性測試圖片可以與電極臺連動，穩定安全保障評估方法會牽涉室溫各種高較低溫度等具體條件

4、三同基準面纜改善小功率檢驗定位精度

空間圖形化app表(biao)層

配合普賽斯獨立自主聯合開發的專業測驗手機app，SPA6100可輕易建立半導體行業涂料，元器的運作測驗。整體內裝實用元器模版網站，如場效應管，二極管，MOSFET。測驗時中，可會讀取，只需比較簡單設置成測驗運作就行。手機app支技測驗參數顯示信息，、等值線設計。測驗結束后后，可將參數、等值線另存存儲。

遲鈍可全屋定制化的(de)工裝夾(jia)具方案怎(zen)么寫

專門針對市售方上區別封裝形式品類的半導體設備器材的成品，普賽斯具備整個沖壓模具滿足方案范文。沖壓模具存在低抗阻、安裝程序簡單、貨品充沛等優勢特點，可用來電子元器件大家庭中的一員-二極管、二極管、場作用硫化鋅管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類的成品的測量；也可與探頭臺鏈接，體現晶圓級處理芯片測量。

有所(suo)不同(tong)封口性質(zhi)的夾具設(she)計

產品選型

非高壓電流I-V源衡量單(dan)元式

型號	精度	最大電壓量程	最小電壓量程	最小電壓分辨率	最大電流量程	最小電流量程	最小電流分辨率
SPA-S100	0.1%	30V	300mV	30μV	1A	100nA	10pA
SPA-S200	0.1%	100V	300mV	30μV	1A	100nA	10pA
SPA-S300	0.1%	300V	300mV	30μV	1A	100nA	10pA
SPA-S100B	0.03%	30V	300mV	30μV	3A	100nA	10pA
SPA-S200B	0.03%	100V	300mV	30μV	3A	100nA	10pA
SPA-S300B	0.03%	300V	300mV	30μV	3A	100nA	10pA

舒(shu)張(zhang)壓智(zhi)能I-V源側量第(di)一單元

型號	精度	最大電壓量程	最小電壓量程	最小電壓分辨率	最大電流量程	最小電流量程	最小電流分辨率	最小脈沖寬度
SPA-P100	0.1%	30V	300mV	30μV	1A（直流）/10A（脈沖）	100nA	10pA	200μs
SPA-P200	0.1%	100V	300mV	30μV	1A（直流）/10A（脈沖）	100nA	10pA	200μs
SPA-P300	0.1%	300V	300mV	30μV	1A（直流）/10A（脈沖）	100nA	10pA	200μs
SPA-P100B	0.03%	30V	300mV	30μV	4A(電流) / 30A(輸入脈沖)	100nA	1pA	200μs
SPA-P200B	0.03%	100V	300mV	30μV	4A(直流) / 30A(脈沖)	100nA	1pA	200μs
SPA-P300B	0.03%	300V	300mV	30μV	4A(直流) / 30A(脈沖)	100nA	1pA	200μs

各類高壓I-V源(yuan)預(yu)估(gu)單元(yuan)

型號	精度	最大電壓量程	最小電壓量程	最小電壓分辨率	最大電流量程	最小電流量程	最小電流分辨率
SPA-E100	0.1%	1200V	100V	10mV	100mA	1μA	100pA

高(gao)流I-V源校正(zheng)單位

型號	精度	最大電壓量程	最小電壓量程	最小電壓分辨率	最大電流量程	最小電流量程	最小電流分辨率	最小脈沖寬度
SPA-HCP100	0.1%	50V	300mV	30μV	30A（直流）/30A（脈沖）	100nA	10pA	80μs
SPA-HCP200	0.1%	50V	300mV	30μV	30A（直流）/30A（脈沖）	100nA	10pA	80μs
SPA-HCP300	0.1%	100V	300mV	30μV	30A（直流）/100A（脈沖）	100nA	10pA	80μs

電感衡量單元式

型號	測試頻率	測試點數	頻率分辨率	頻率輸出精度	基本精度	內部直流偏置信號	可測參數與量程
SPA-C100	10Hz-1MHz	可編程	5 位	±0.1%	±0.5%	10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA	｜Z｜ , R, X 0.001mΩ-99.999MΩ｜Y｜ , G, B 0.1nS-99.999SCs Cp 0.01pF-9.9999F