新電力生物質能汽年滲透法率也將會隨之達50%，加上風光電技術這個領域對熱效率摸塊的訴求愈多愈多，熱效率摸塊受到喜愛。2021年8月5日，艾邦第一屆熱效率半導體設備技術技術IGBT/SiC家產論壇社區在無錫召開大會。聯席會議聚合的職業之星謀求提升之策，從新電力生物質能汽年電驅與自動控制的職業、光儲及升壓器的職業、單質半導體設備技術技術板材的職業、熱效率半導體設備技術技術的職業、二極管封裝與測評的職業等多種家產鏈階段抵達，尋找多種打破路勁，促進會家產的自主創新與可將持續提升。

        作為國內率先實現高精度數字源表（SMU）產業化的半導體測試裝備優質供應商，普賽斯儀表副總經理王承博士受邀出席并發表《SiC電率半導體芯片組件自測擊敗及處理》主題演講。

1、跟隨光電元器技術應用的不間斷突飛猛進，新工藝新工藝的逐漸提升自己，對光電元器元器的自測和查驗崗位趨于重中之重。2、由于企業成長，工廠相對測式的所需由原有的CP+FT狀態擴大至CP+KGD test +DBC test+FT，乃至包涵SLT測式等。3、如此精度測試電功率元件在高流/高電壓標準下的I-V弧度或另外的靜態式的屬性，顯得尤其至關重要。

        會上，普賽斯儀表副總經理王承博士闡述了如何準確可靠地實現SiC功率器件的測試方案，以新能源領域車規級功率器件參數測試為切入點，分享了在新能源領域功率器件成套解決方案等方面的關鍵舉措。本場演講重點介紹了普賽斯儀表實驗室、高低溫、產線半自動/全自動等功率半導體靜態參數測試解決方案，廣泛適用于從(cong)實驗室到小(xiao)批量、大批量產(chan)(chan)線的全方位應用，幫助國(guo)產(chan)(chan)功率半(ban)導體(ti)廠(chang)商加(jia)快(kuai)研發測試以(yi)及批量化生產(chan)(chan)進程(cheng)。

        普賽斯瓦數集成電路芯片靜態式的技術參數測試儀系統性，是武漢普賽斯經過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統。該系統不僅提供IV、CV、跨導等多元化(hua)的測(ce)試功(gong)能(neng)，還具備高精(jing)度、寬(kuan)測(ce)量范圍(wei)、模塊化(hua)設(she)計以(yi)及(ji)便捷的升(sheng)級擴(kuo)展(zhan)等顯著(zhu)優(you)勢。其設(she)計初衷(zhong)在于(yu)全面滿足從基礎功(gong)率二極(ji)管、MOSFET、BJT、IGBT到寬(kuan)禁帶半(ban)導體(ti)SiC、GaN等晶圓、芯片、器件(jian)及(ji)模塊的靜態參數表征和(he)測(ce)試需求(qiu)，確(que)保測(ce)量效(xiao)率、一致性(xing)與可靠性(xing)的優(you)異(yi)表現。

PMST額定功率元器動態(tai)參數表各種測試設(she)備(bei)

PSS TEST冗余高(gao)低(di)溫(wen)半主(zhu)動公測軟(ruan)件系(xi)統

PMST-MP 靜態式的技術(shu)參數半全自動化(hua)公測整(zheng)體

PMST-AP 靜(jing)態式的技(ji)術(shu)參數全重(zhong)新化(hua)測(ce)試方法軟(ruan)件(jian)系統

大電流輸出響應快，無過沖

        個性化技術創新的高作用激光單智能式大感應電流值大小源及高壓力源，其讀取創建節點反映十分迅速，且無過沖這種現象。在檢測節點，大感應電流值大小的基本特征飆升用時僅為15μs，激光單智能橫向可在50~500μs兩者之間靈活機動設定。按照這種激光單智能大感應電流值大小檢測辦法，還可以顯著性減輕因元器工作中變燙所導至的不確定度，保證 檢測導致的精準性與可信性。

高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式

        自主學習科研開發的高特點直流高壓源，其模擬輸出成立與斷電的反應在短時間內，且無過沖的現象。在做好擊穿的電流值的電流值公測時，可智能化控制在感應電流被限或的電流值最大限度，以以保證產品不因過壓或過流而遭到破壞，合理自我保護電子元件的很安全比較穩定和比較穩定量分析。

        普賽斯儀表作為半導體電性能測試領域的權威解決方案供應商，始終秉持創新技術與匠心精神的融合，深耕于功率半導體市場。